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[资讯] Hynix宣布其40nm 2Gb DDR3内存芯片等三款产品通过Intel验证

 

韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证,Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品,另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。' o8 O- X  \1 w2 L
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这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条),验证时的运行频率为1333MHz,芯片电压为1.5V。1 V% u1 m( R' r% \; i2 Y' B& C# k4 O
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Hynix宣称其40nm制程2Gb DDR3内存芯片的产出量比50nm制程技术提升了60%左右。并称40nm制程的产品耗电量比50nm制程产品可下降40%,比业内通用的耗电标准低两倍。  A+ N0 f2 E/ X, P

/ `+ L+ N! B) b$ C: ZHynix公司的CMO JB Kim表示:“在高性能服务器市场,目前的主流已经迅速由原来的1Gb密度芯片转为2Gb密度芯片,我们将为业界提供性能最好的1Gb/2Gb内存产品。”

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