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海力士无锡工厂将改产NAND闪存

2012-03-28
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浏览0次 时间:2012年3月16日 10:07
台湾《电子时报》报道,继三星此前宣布将在中国内地建造一座12英寸晶圆工厂之后,同为韩国存储设备巨头的Hynix(海力士)半导体近日称该公司位于无锡的DRAM晶圆工厂将改产NAND闪存。
由于苹果iPad、MacBook Air以及Intel Ultrabook的需求持续增长,32-128Gb闪存颗粒的订单也像雪花一样飞来。放弃目前利润较低的DRAM一部分产能用来生产NAND闪存有助于存储产业公司改善财政状况。
三星在2011年宣布将于内地建造第二座12英寸晶圆工厂,表明了业界今后将在中国打造NAND闪存供应链的态度。目前海力士也打算扩建无锡工厂或者再建一座12英寸NAND闪存晶圆厂。
根据调查统计,海力士在全球NAND闪存市场的占有率落后于三星和东芝位居第三位,第四位的是位于总部位于爱达荷州的美光半导体。
此前有统计分析称,NAND闪存存储设备如SSD等在Ultrabook中的使用率有望在未来上升至30%。

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